APT75GT120JRDQ3 Microsemi 1200V 75A Thunderbolt IGBT® - Yüksek Hızlı NPT Güç Modülü » Ürünler » Elektronik | Taflan Elektronik
Microsemi (Microchip) üretimi APT75GT120JRDQ3 Thunderbolt IGBT®, yüksek gerilim ve yüksek frekans altında çalışan endüstriyel güç sistemleri için geliştirilmiş profesyonel bir güç modülüdür. Non-Punch Through (NPT) yarı ileken teknolojisi sayesinde yüksek aşırı yük dayanımı, kısa devre toleransı ve paralel bağlanabilir kararlı çalışma karakteristiği sunar.
Bünyesinde barındırdığı dahili hızlı toparlanmalı antiparalel diyot (FRED) sayesinde anahtarlama kayıplarını en aza indirir, güç yoğunluğunu ve sistem verimliliğini artırır.
Orijinal Microsemi Kalitesi: Endüstriyel standartlarda yüksek güvenilirlik ve uzun kullanım ömrü.
Gelişmiş NPT Teknolojisi: Ani gerilim yükselmelerine ve yüksek sıcaklıklara karşı üstün dayanıklılık.
Ultra Hızlı Anahtarlama: Düşük anahtarlama kayıpları ile yüksek frekanslı devrelerde yüksek verim.
SOT-227 / ISOTOP® Kılıf: Yüksek termal iletkenlik sağlayan yalıtımlı taban plakası ve kolay vidalı montaj.
Entegre FRED Diyot: Düşük tersten toparlanma süresi ile yüksek anahtarlama hızı desteği.
Genel Bilgiler
Marka / Üretici: Microchip / Microsemi (Advanced Power Technology)
Ürün Kodu: APT75GT120JRDQ3
Ürün Ailesi: Thunderbolt IGBT®
Teknoloji: NPT (Non-Punch Through) N-Kanal
İç Konfigürasyon: Tek Transistör + Entegre Hızlı Diyot (DQ FRED)
Kılıf Tipi: SOT-227 / ISOTOP® (miniBLOC / 4-Pin Vidalı Terminal)
Mutlak Maksimum Sınır Değerleri
Kolektör-Emiter Gerilimi (V_CES): 1200 V
Sürekli Kolektör Akımı (I_C @ 25°C): 97 A
Sürekli Kolektör Akımı (I_C @ 80°C): 75 A (Nominal)
Darbeli Kolektör Akımı (I_CM): 225 A
Gate-Emiter Gerilimi (V_GE): ±20 V (Maksimum dayanım: ±30 V)
Maksimum Güç Dağılımı (P_D @ 25°C): 480 W
İzolasyon Gerilimi (V_ISOL): 2500 V_RMS (Terminaller ile taban şasisi arası)
Elektriksel Özellikler
Kolektör-Emiter Doyum Gerilimi (V_CE sat): Tipik 3.0 V / Maksimum 3.7 V (V_GE = 15V, I_C = 75A iken)
Gate Eşik Gerilimi (V_GE th): 4.5 V - 6.5 V (Tipik 5.8 V)
Kolektör Kesim Akımı (I_CES): Maksimum 200 µA (V_CE = 1200V, V_GE = 0V iken)
Gate-Emiter Sızıntı Akımı (I_GES): Maksimum ±100 nA
Giriş Kapasitesi (C_ies): Tipik 5.1 nF (V_CE = 25V, f = 1MHz iken)
Toplam Gate Yükü (Q_g): Tipik 240 nC (V_GE = 15V, I_C = 75A iken)
Diyot ve Anahtarlama Performansı
Diyot Sürekli İleri Akımı (I_F): 60 A
Diyot Tersten Toparlanma Süresi (t_rr): Tipik 130 ns (@ 125°C)
Açma Anahtarlama Enerjisi (E_on): Tipik 2.5 mJ (@ 125°C)
Kapama Anahtarlama Enerjisi (E_off): Tipik 4.5 mJ (@ 125°C)
Toplam Anahtarlama Enerji Kaybı (E_ts): Tipik 7.0 mJ (@ 125°C)
Termal ve Mekanik Parametreler
Çalışma Bağlantı Sıcaklığı (T_J): -55°C ile +150°C
Depolama Sıcaklığı (T_stg): -55°C ile +150°C
IGBT Termal Direnci (R_th j-c): 0.26 °C/W (Eklemden kılıfa)
Montaj Tipi: Vidalı Şasi / Soğutucu Montajı
UYGULAMA ALANLARI
Endüstriyel Kaynak Makineleri ve İnvertörleri
Kesintisiz Güç Kaynakları (UPS) ve SMPS Sistemleri
İndüksiyon Isıtma Sistemleri ve Rezonans Konvertörler
Motor Sürücüleri ve Frekans Konvertörleri
Yüksek Güçlü DC/DC Dönüştürücüler
